ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ
ТЕХНИЧЕСКИЕ
DATA
Предварительный A2 5 / 98
Информация, предоставленная компанией Analog Devices, считается точной и надежной. Тем не менее,
не несет ответственности берет на себя Analog Devices для его использования, а также за любые нарушения
патентов и других прав третьих сторон, которые могут возникнуть в результате ее использования. Лицензия не предоставляется
косвенно или иным образом под любой патент или патентные права Analog Devices.
Восьмеричное 14-Bit, параллельный входной сигнал,
Напряжение-вывода КСР
AD7841
© Analog Devices, Inc 1998
Один Технология Пути, PO Box 9106, Норвуд, М. 02062-9106, США
Tel: 781/329-4700
Факс: 781/326-8703
ОСОБЕННОСТИ
Восемь 14-разрядных ЦАП в одном пакете
Напряжение Мероприятия
Настройка смещения для каждой пары ЦАП
Рег диапазоне ± 5 V
Максимальное выходное напряжение диапазоне ± 10 V
Открытый Функция для определяемых пользователем напряжение
± 10.8 до ± 16.5V операции
44-Pin PQFP пакета
ПРИМЕНЕНИЕ
Автоматическое тестовое оборудование
Управление процессом
Приборы общего назначения
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
AD7841 содержит восемь 14-разрядных ЦАП на один монолитный
чип. Это выходное напряжение с полномасштабной диапазоне ± 10 В от
ссылка напряжения ± 5 В.
AD7841 принимает 14-битный параллельный загруженных данных из внеш-
NAL автобусе в один из входных задвижки под контролем
WR, CS и ЦАП адрес булавки канал, A0-A2.
КСР выхода обновления на получение новых данных в
КСР регистров. Все выходы могут быть обновлены одновременно
принимая ввода LDAC низком уровне.
Каждый выход ЦАП с буфером получить-оф-2 усилителя в
который внешнего ЦАП напряжения смещения могут быть вставлены через
DUTGNDx булавки.
AD7841 выпускается в 44-выводном корпусе PQFP.
Функциональная блок-схема
ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
КСР B
КСР
КСР C
КСР D
-
+
R
R
-
+
R
R
-
+
R
R
-
+
R
R
VOUTA
DUTGND
EF
КСР
REG
D
КСР
REG
C
КСР
REG
B
14
КСР
REG
E
КСР
REG
14
14
AD7841
A0
A1
A2
DB13
DB0
WR
CS
VREF (+)
Б.
DUTGND
Компакт-диск
VCC
VSS VDD
GND
-
+
-
+
R
R
-
+
-
+
R
R
R
R
R
R
КСР E
ЦАП F
КСР G
КСР H
VREF (-)
Б.
VOUTB
VOUTC
VOUTD
VOUTE
VOUTF
VOUTG
VOUTH
DUTGND
GH
V
REF
(+)
GH
V
REF
(+)
CDEF
VREF (-)
GH
VREF
(-)
CDEF
14
14
КСР
REG
F
КСР
REG
G
КСР
REG
H
14
14
14
14
14
14
DATA
REG
C
14
DATA
REG
D
14
DATA
REG
E
14
14
14
DATA
REG
H
DATA
REG
G
14
14
14
14
14
14
14
14
LDAC
D
D
R
E
S
S
D
E
C
O
D
E
DATA
REG
DATA
REG
B
DATA
REG
F
DUTGND
Б.
CLR
ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ
ТЕХНИЧЕСКИЕ
DATA
Параметр
B
Единицы
Условия испытаний / Комментарии
ТОЧНОСТЬ
Разрешение
14
14
Биты
Относительная точность
± 4
± 2
LSB макс
Дифференциальная нелинейность
± 1
± 1
LSB макс
Гарантированная Монотонные над температурой
Zero-Scale ошибке
± 8
± 4
LSB макс
V
REF
(+) = 5, V
REF
(-) = -5 В. Обычно в пределах ± 2 LSB
Полный-Scale Ошибка
± 8
± 4
LSB макс
V
REF
(+) = 5, V
REF
(-) = -5 В. Обычно в пределах ± 2 LSB
Ошибка усиления
± 4
± 2
LSB тип
V
REF
(+) = 5, V
REF
(-) = -5 V
Температурный коэффициент усиления
2
0,5
0,5
FSR стр / мин / ° C тип
10
10
FSR стр / мин / ° C макс
DC Перекрестные помехи
2
0,2
0,2
мВ макс
См. терминологии. R
L
= 5K Ω, C
L
= 50пФ
0,08
0,08
mVtyp
Справочная INPUTS
2
DC Входное сопротивление
100
100
M тип Ω
Входной ток
± 1
± 1
μ макс
За вход. Обычно ± 50 нА
V
REF
(+) Диапазон
0 / 5
0 / 5
Vmin / макс
V
REF
(-) Диапазон
-5 / 0
-5 / 0
Vmin / макс
[V
REF
(+) - V
REF
(-)]
2 / 10
2 / 10
V мин / макс
Для указанной эффективности. Можно пойти как низко как 0 V,
Показатели, но не гарантируется
DUTGND INPUTS
2
DC Входное сопротивление
60
60
А тип Ω
Максимальный входной ток
± 0,3
± 0,3
мА тип
За вход.
Диапазон входного
-2 / +2
-2 / +2
V мин / макс
Выходные характеристики
2
Напряжение выходного Swing
± 10
± 10
V мин
2 х (V
REF
(-)+[ V
REF
(+)-V
REF
(-)] • D) - V
DUTGND
Ток короткого замыкания
15
15
мА макс
Резистивный нагрузки
5
5
А Ω мин
Для 0 V
Емкостной нагрузки
50
50
пФ макс
Для 0 V
DC Выходное сопротивление
0,5
0,5
Ω макс
Цифровой вход
V
INH
, Входной высокого напряжения
2,4
2,4
V мин
V
INL
, Входной низкого напряжения
0,8
0,8
V макс
Я
INH
, Входной ток
± 10
± 10
μ макс
Всего всех цифровых Пальцы
C
В
, Входная емкость
2
10
10
пФ макс
Требования к питанию
V
КС
+4,75 / +5,25 +4,75 / +5,25
V мин / макс
Для указанной эффективности
V
DD
+10,8 / +16,5 +10,8 / +16,5
V мин / макс
Для указанной эффективности
V
С.
-10.8/-16.5 -10.8/-16.5
V мин / макс
Для указанной эффективности
Питание Чувствительность
Δ полной шкалы / Δ V
DD
80
80
дБ тип
Δ полной шкалы / Δ V
С.
80
80
дБ тип
Я
КС
0,5
0,5
mAmax
V
INH
= V
КС
, V
INL
= GND. Динамический ток
Я
DD
14
14
мА макс
Мероприятия выгружаются. Обычно 7 мА
Я
С.
14
14
мА макс
Мероприятия выгружаются. Обычно 7 мА
Предварительный A2 5 / 98
-2 -
AD7841-ТЕХНИЧЕСКИЕ
(V
КС
= +5 В ± 5%; V
DD
= 10,8 В до 16,5 V; V
С.
=-10.8 до 16.5V; GND DUTGND = =
0 V; R
L
= 5 Ω K и C
L
= 50 пФ до GND, T
1
= T
MIN
Т
MAX
, Если не указано иное)
ПРИМЕЧАНИЯ
1
Температурный диапазон для А и B Versions: -40 ° C до +85 ° C
2
Гарантировано характеристики. Не производства испытания.
Технические характеристики могут изменяться без предварительного уведомления.
AD7841 Предварительный технической информации
-3 -
Предварительный A2 5 / 98
ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ
ТЕХНИЧЕСКИЕ
DATA
Параметр
B
Единицы
Условия испытаний / Комментарии
Динамические характеристики
Выходное напряжение время установления
30
30
μ ы тип
Полное изменение масштаба до ± 1 / 2 LSB. КСР защелка Содержание альтернативы
Загружены все 0s и всея 1s
Скорость нарастания выходного напряжения
0,8
0,8
V / S μ тип
Цифро-аналоговые Glitch Импульс
120
120
нВ-х тип
Измеренные с V
REF
(+) = 5, V
REF
(-) = -5 В. ЦАП защелкой
Друг загружено с 0FFF Hex и 1000 Hex. , Не зависящих
на условиях нагрузки
Источник до развязки
100
100
dBtyp
См. Терминология
DAC-на-КСР Перекрестные помехи
5
5
нВ-х тип
См. Терминология
Цифровые Перекрестные помехи
3
3
NV-ы тип
Проходные для ЦАП Под испытаний в связи с изменением в цифровой
Введите код на другой Converter
Цифровые проходные
0,5
0,5
нВ-х тип
Влияние входных деятельности Автобус на ЦАП Под испытаний
Выходной шум спектральной плотности
@ 1 кГц
130
130
нВ / (Гц)
1 / 2
тип Все 1s загружено КСР. V
REF
(+) = V
REF
(-) = 0 V
Технические характеристики могут изменяться без предварительного уведомления.
СРОКИ ТЕХНИЧЕСКИЕ
1
Параметр
Предельные при Т
MIN,
T
MAX
Единицы
Описание
т
1
15
нс мин
Обращение к WR установки времени
т
2
0
нс мин
Обращение к WR Hold время
т
3
50
нс мин
CS широтно-импульсной Низкий
т
4
50
нс мин
WR широтно-импульсной Низкий
т
5
0
нс мин
CS в WR установки времени
т
6
0
нс мин
WR для CS Hold время
т
7
20
нс мин
Время установки данных
т
8
0
нс мин
Время хранения данных
т
9
20
μ ы тип
Расселение время
т
10
300
нс макс
CLR Импульсный времени активации
т
11
50
нс мин
LDAC широтно-импульсной Низкий
ПРИМЕЧАНИЯ
1
Все входные сигналы указаны с TR = ф = 5 нс (10% до 90% от 5 V), приуроченной от уровня напряжения 1,6 В.
2
Взлет и падение раз должно быть не более 50 нс.
Технические характеристики могут изменяться без предварительного уведомления.
(V
КС
= +5 В ± 5%; V
DD
= 10,8 В до 16,5 V; V
С.
= -10,8 В до -16,5 V; GND = = 0 DUTGND V)
Рисунок 1. Временная диаграмма
(Эти характеристики входят дизайна руководство и не
при условии предъявления испытаний.)
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ AC
t5
т
8
Т7
DATA
T2
T6
т
1
A0, A1, A2
CS
LDAC
T3
т
11
VOUT
т
9
CLR
т
10
VOUT
т
4
WR
-4 -
Предварительный. A2 5 / 98
AD7841 Предварительный технической информации
ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ
ТЕХНИЧЕСКИЕ
DATA
ЗАКАЗ путешествий
Линейность
Температура
Ошибка
DNL
Пакет
Модель
Диапазон
(LSBs)
(LSBs)
Option *
AD7841AS
-40 ° C до +85 ° C
± 4
± 1
S-44
AD7841BS
-40 ° C до +85 ° C
± 2
± 1
S-44
* S = пластиковый Flatpack Quad (PQFP).
ВНИМАНИЕ!
ОУР (электростатический разряд), чувствительные устройства. Электростатические заряды достигать 4000 V легко
накопить на организм человека и испытательное оборудование и может выполнять без обнаружения. Хотя
AD7841 функции собственной защиты ОУР схем, постоянное повреждение может возникнуть на
Устройства п
одвергались высоких энергий электростатических разрядов. Таким образом, надлежащих мер предосторожности ОУР
рекомендовал, чтобы избежать снижения производительности или потерю функциональности.
Максимальная нагрузка ABSOLUTE
1
(T
= +25 ° C, если не указано иное)
V
КС
к GND. . . . . . . . . . . . . . . . -0,3 V, +7 V или V
DD
+ 0,3 V
(В зависимости от Нижнего)
V
DD
к GND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0,3 V, +17 V
V
С.
к GND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 0,3 V, -17 V
Цифровых входов GND. . . . . . . . . . . . . . . . -0,3 V, V
КС
+ 0,3 V
V
REF
(+) Для V
REF
(-). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0,3 V, +18 V
V
REF
(+) К GND. . . . . . . . . . . . . . . . V
С.
- 0,3 V, V
DD
+ 0,3 V
V
REF
(-) К GND. . . . . . . . . . . . . . . . . . V
С.
-0,3 V, V
DD
+ 0,3 V
DUTGND к GND. . . . . . . . . . . . . . . V
С.
-0,3 V, V
DD
+ 0,3 V
V
OUT
(A-H) к GND. . . . . . . . . . . . . . V
С.
-0,3 V, V
DD
+ 0,3 V
Диапазон рабочих температур
Промышленные (A, B Версии). . . . . . . . . . . . . . .- 40 ° С до +85 ° C
Диапазон температуры хранения. . . . . . . . . . . . . .- 65 ° С до +150 ° C
Температура перехода. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150 ° C
PQFP пакет, рассеиваемой мощности. . . . . . . . . . . . . . . 480 мВт
θ
JA
Термальный сопротивление. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,95 ° C / W
Ведущие Температура пайки
Паровой фазы (60 сек). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215 ° C
Инфракрасные (15 сек). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220 ° C
ПРИМЕЧАНИЯ
1
Подчеркивает выше перечисленных в пункте "Абсолют Оценки Максимум" может привести к необратимой
к повреждению устройства. Это стресс рейтинг только и функциональных возможностей прибора
в этих или любых других условиях, выше указанных в оперативной части этой
спецификации не подразумевается. Воздействие абсолютный максимум условий рейтинг
длительные периоды могут повлиять на надежность устройства.
2
Переходный ток до 100 мА не вызовет SCR защелки деятельности.
Конфигурация ПИН
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21 22
3
4
5
6
7
1
2
10
11
8
9
40
39
38
41
42
43
44
36
35
34
37
29
30
31
32
27
28
25
26
23
24
33
PIN 1
IDENTIFIER
TOP VIEW
(Не toScale)
DUTGND_ GH
V
OUT
H
REF_ GH (-)
REF_ GH (+)
CLR
DB12
AD7841
D
B
1
W
R
V
C
C
G
N
D
D
B
0
D
B
2
D
B
3
D
B
4
D
B
5
D
B
6
DUTGND_AB
V
OUT
R EF_ AB (-)
REF_AB (+)
V
DD
V
С.
LDAC
A2
A1
A0
CS
DB11
DB10
DB9
DB8
V
O
U
T
B
V
O
U
T
C
D
U
T
G
N
D
_
C
D
V
O
U
T
D
R
E
F
_
C
D
E
F
(
-
)
R
E
F
_
C
D
E
F
(
+
)
V
D
D
V
O
U
T
E
V
O
U
T
G
D
U
T
G
N
D
_
E
F
V
O
U
T
F
D
B
7
DB13
AD7841 Предварительный технической информации
-5 -
Предварительный A2 5 / 98
ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ
ТЕХНИЧЕСКИЕ
DATA
PIN ОПИСАНИЕ
Pin-мнемоник
Описание
V
КС
Логика питания; 4,75 В до 5,25 В.
V
С.
Отрицательные Analog питания;-10.8 до -16,5 В.
V
DD
Позитивные державы Analog снабжения; 10,8 В до 16,5 В.
GND
Ground.
V
REF
(+) AB, V
REF
(-) Б.
Рег Входы для ЦАП и В. Эти напряжения ссылкой относятся к GND.
V
REF
(+) CDEF,
Рег Входы для ЦАП C, D, E и F. Эти ссылки напряжения относятся к GND.
V
REF
(-) CDEF
V
REF
(+) GH, V
REF
(-) GH номер Входы для ЦАП G и H. Эти ссылки напряжения относятся к GND.
V
OUT
. . V
OUT
H
Мероприятия КСР.
CS
Уровень Triggered-Chip Выбор входного сигнала (активный низкий). Устройство выбрано, когда этот вход является низким.
DB0. . DB13
Параллельный ввод данных. AD7841 может согласиться с прямой 14-битный параллельный слова на DB0 к DB13 DB13, где
является MSB и DB0 является LSB.
A0, A1, A2
Адрес ресурсов. A0, A1 и A2 декодируются, чтобы выбрать один из 8 входных данных регистров данных транс-
ТЭР.
LDAC
Нагрузка КСР логики входного сигнала (активный низкий). При этом логика ввода берется низким содержанием ввода защелки
переданного в их соответствующих КСР защелок.
CLR
Асинхронный Открытый вход (уровень чувствительной, активный низкий). При этом ввод низким, все аналоговые выходы
переключился на внешнюю набор потенциала на соответствующих контактный DUTGND. Содержание данных регистров и
КСР регистров Н не затрагиваются, когда PIN-код CLR берется низком уровне. Когда CLR является привез высокой,
КСР мероприятий вернуться в свои родные мероприятия как это определено в их данных регистров ЦАП.
WR
Уровень-Triggered Создать входного сигнала (активный низкий уровень), используемый в сочетании с CS для записи данных на вход AD7841
Данные регистров. Данные запертом в выбранный регистр данных на повышение края WR.
DUTGND Б.
Устройство Чувство площадка для ЦАП и В. Vout Vout и B являются ссылками на напряжени
е, приложенное к этой
PIN-код.
DUTGND CD
Устройство Чувство площадка для ЦАП C и D. Vout C и D Vout которые ссылаются на напряжение, приложенное к этой
PIN-код.
DUTGND EF
Устройство Чувство площадка для ЦАП E и F. Vout E и F Vout которые ссылаются на напряжение, приложенное к этой
PIN-код.
DUTGND GH
Устройство Чувство площадка для ЦАП G и H. Vout G и H Vout которые ссылаются на напряжение, приложенное к этой
PIN-код.
0. 548 (13,925)
0. 546 (13,875)
TOP VIEW
(PINS DOWN)
1
33
34
44
11
12
23
22
0. 033 (0 .84)
0. 029 (0 .74)
0. 398 (10,11)
0,390 (9. 91)
0. 016 (0 .41)
0. 012 (0 .30)
0. 083 (2 .11)
0. 077 (1 .96)
0. 040 (1. 02)
0. 032 (0. 81)
0,040 (1. 02)
0,032 (0. 81)
SEATI Н.
PL ANE
0. 096 (2. 44)
MAX
0,037 (0. 94)
0,025 (0. 64)
8 °
0.8 °
Габаритные размеры
Размеры показаны в дюймах и (мм).
44-Pin PQFP (S-44)